20世纪80年代,以IGBT为代表的高速、全控型器件迅速发展。IGBT结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动功率小、开关速度快以及双极型晶体管(BJT)通态压降低、载流能力大的优点。随着IGBT不断更新换代,其日渐成为现代电力电子技术的主流器件,特别是压接式IGBT的出现,使其向大功率、高效率跨出一大步,已被广泛应用于柔性直流输电(VSC-HVDC)工程当中。与此同时,通过对GTO 技术的改进,新一代可关断晶闸管类器件IGCT于20世纪90年代问世。IGCT改进了GTO芯片,并利用新型低感封装将驱动电路和芯片紧密集成到一体,显示出比传统GTO 更加显著的优点:损耗低、开关速度快、容量密度大、可靠性高等。这些优点保证了IGCT 可以在维持较低成本的基础上,安全、可靠、经济、高效地用于高压大容量功率变换领域,并在一些电力电子装置中具有更为突出的优势。

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