3BHE009681R0101 可控硅IGCT模块 关断阶段呈现晶体管的特性

3BHE009681R0101       可控硅IGCT模块

IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是 种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、 开关速度、效率、成本、重重和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。.IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和”门极驱动电路集成在一起， 再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、 结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高,有很好的应用前景。

动态血氧监测解决方案

眼下指压血氧仪几乎一台难求，动态血氧监测的重要性可见一斑。在医院，要同时对多个病人进行血氧监测，可快捷部署蓝牙网关解决方案，同步接入多台可穿戴设备，完成信息数据集中化采集和监管。

蓝牙网关以 Wi-Fi、4G / 5G 形式将采集数据传至服务器，医护人员通过护士站电脑端或移动设备端，对病人数据进行监测，异常自动告警。

医院环境复杂，3BHE009681R0101    可控硅IGCT模块大规模的监测工作建立在网关性能优 秀、部署合理的基础上。自连网关能够在医院病房、护士站、走廊等不同场景提供稳定信号覆盖，无缝漫游完成信号自动配对、低延迟切换，保障传输完整及连续性。

除动态血氧监测外，动态心电贴、动态血压、血糖监测，动态体温监测等场景同样适用。

智能定位医疗资产管理方案

医疗机构作资产密集型单位，医疗设备种类多、分布离散、部分设备还会经过多人多次流转，管理起来难度大。像呼吸机、监护仪这类仪器，在疫情严重时十分珍贵，更需要采用合理的管理方式提高利用率。

自连科技智能定位医疗资产管理方案，通过为呼吸机等医疗资产设备贴上 AST401智能定位传感器，以蓝牙beacon技术对其进行实时定位。再配合搭建自连BLE蓝牙网关，通过4G或WiFi形式将设备信息转发至后台系统，进行设备管理。

部署完成智能定位资产管理系统后，3BHE009681R0101     可控硅IGCT模块可以掌握呼吸机这类重要医疗资源的实时分布及责任人状况，在紧急需要时能快速定位找寻，在医疗设施有限的情况下实现更大化合理有效利用。

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IGCT Integrated Gate Commutated Thyristors (Intergrated Gate Commutated Thyristors) are power semiconductor switching devices developed by medium voltage frequency converters for use in giant power electronics sets (integrated gate converter thyristors = gate converter thyristors + gate units). Proposed by ABB in 1997. IGCT has enabled converters to make great progress in terms of power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight and volume, bringing a new leap to power electronics plants. IGCT integrates the GTO chip with an anti-shunt diode and a "gate driver circuit", and then connects it with its gate driver in a low-inductance manner at the periphery, combining the stable turn-off ability of the transistor with the advantages of low on-state loss of the thyristor, and exerts the performance of the thyristor in the conduction phase, and presents the characteristics of the transistor in the shutdown phase. IGCT has the characteristics of large current, high blocking voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low conduction loss, etc., and has low cost and high yield, which has a good application prospect.

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