5SHY4045L0001 IGCT系列模块 3BHB018162R0001 产品说明

5SHY4045L0001     IGCT系列模块   3BHB018162R0001

IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、 效率、成本、重和体积等方面都取得了巨大进展, 给电力电子成套装置带来了新的飞跃。5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001是将GTO芯与反并联二极管和栅极驱动电路集成在-起， 再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L00013BHB018162R0001具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点， 而且造成本低,成品率高，有很好的应用前景。5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性能，但广泛应用的标准GTO驱动技造成不均匀的开通和关断过程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动单元,因而造成可靠性下降，价格较高，也不利于串联。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是，在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频交流器的优选方案。

经济发展，电力先行。随着国民经济的快速发展，中国电力工业也取得了高速增长。5SHY4045L0001     IGCT系列模块 3BHB018162R0001由于我国多煤、贫油、少气，因此发电结构以火电为主，而火电以燃煤为主。但煤炭作为碳排放强度更大的化石能源，在“碳达峰、碳中和”的目标下，众多燃煤发电企业都面临着绿色低碳转型的迫切压力。

　　输煤系统作为火力发电企业的重要构成部分之一，不仅关乎着锅炉实际燃烧用煤的传输、配比和掺烧，同时也负责煤碳的运输、卸载和存储。故而，保证输煤系统的高效、稳定运行，将直接影响到锅炉的实际燃烧效率，直接决定着发电企业碳精益管理的高效、准确、精细化。图尔克以模块化分布式控制取代传统的集中控制管理，5SHY4045L0001    IGCT系列模块 3BHB018162R0001将火电的输煤监控点做到彻底的分散，提升输煤系统智能化水平，有力推动输煤向“安全高效、清洁低碳、智能灵活”方向的转型。

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5SHY4045L0001     IGCT系列模块   3BHB018162R0001

IGCT has enabled converters to make great progress in terms of power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight and volume, bringing a new leap to power electronics plants. 5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001 is a GTO core integrated with an anti-shunt diode and gate driver circuit in -up, and then connected with its gate driver in a low-inductance manner, combining the stable turn-off ability of the transistor and the advantages of low on-state loss of the thyristor, giving full play to the performance of the thyristor in the conduction stage, and presenting the characteristics of the transistor in the shutdown stage. 5SHY4045L00013BHB018162R0001 has the characteristics of large current, high voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low loss, etc., and low cost, high yield, and has good application prospects. 5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001 GTO using thyristor technology is a commonly used high-power switching device, which has higher performance than IGBT using transistor technology in the cut-off voltage, but the widely used standard GTO driver technology causes uneven turn-on and turn-off process, requiring high-cost dv/dt and di/dt absorption circuits and larger power gate driver units, resulting in reduced reliability, higher prices, and is not conducive to series connection. 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001However, before the maturity of high-power MCT technology, IGCT has become the preferred solution for high-voltage high-power low-frequency exchangers.

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