5SHX2645L0004 集成门极换流晶闸管 大规模生产线的流程控制

5SHX2645L0004  集成门极换流晶闸管

IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景己用于电力系统电网装置（100MVA）和的中功率工业驱动装置（5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间（到09年为止)，由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。IGCT集 IGBT（绝缘门极双极性晶体管）的高速开关特性和GTO（门极关断品闸管）的高阻断电压和低导通损耗特性于一体，一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。在ACS6000的有缘整流单元的相模块里，每相模块由IGCT 和二极管、钳位电容组成，由独立的门极供电单元GUSP为其提供能源。

　　近日，机床制造商格劳博集团为帮助客户应对消费者对电动汽车需求的快速增长局面，打造了大批量生产和装配系统。格劳博采用倍福基于 PC 和 EtherCAT 的控制和驱动技术解决了大限度地缩短加工周期并相应加快工艺顺序等关键问题，5SHX2645L0004  集成门极换流晶闸管 成功完成了这一任务。一台精密的发卡电机（因为电机定子绕组的线圈形状像发卡而得名）专用机床很好地说明了这种优化的可扩展自动化解决方案所具备的优势。该解决方案不仅采用一台安装有 TwinCAT 3 软件的 C603x 超紧凑型工业 PC 作为中央控制平台，而且还配备了 XTS 磁驱柔性输送系统。

人们对现代化数控机床系统在灵活性5SHX2645L0004  集成门极换流晶闸管高速实现完美加工效果、能效、透明度和互联互通方面的要求不断提升，倍福基于 PC 的控制技术为高效应对这些挑战提供理想解决方案。硬件和软件平台由标准组件构成，将所有自动化及 CNC 功能集成在同一个系统中。同时，机器设备设计方面的极大灵活性也会给机床制造商带来颇多好处。倍福凭借其长期以来积累的全面的机床技术专业知识确保提供性能匹配的控制解决方案。

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IGCT Integrated Gate Commutated Thyristors are a type of power semiconductor switching device developed for medium voltage inverters and used in giant power electronic complete sets (Integrated Gate Commutated Thyristors=Gate Commutated Thyristors+Gate Units). Proposed by ABB in 1997. IGCT has made significant progress in power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight, and volume of converter devices, bringing a new leap to power electronic complete sets of devices. IGCT integrates GTO chips with anti parallel diodes and gate drive circuits, and then connects them with gate drivers in a low inductance manner on the periphery. It combines the stable turn-off ability of transistors and the advantages of low on state losses of thyristors, and utilizes the performance of thyristors during the conduction phase. The turn-off phase exhibits the characteristics of transistors. IGCT has the characteristics of high current, high blocking voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low conduction loss, low manufacturing cost, high yield, and good application prospects. It has been used in power system power grid devices (100MVA) and medium power industrial drive devices (5MW). IGCT has been successfully applied in the field of medium voltage frequency converters for 11 years (until 2009), due to its high-speed switching ability without the need for buffer circuits, As a result, fewer power components are required and the reliability of operation is greatly improved. IGCT integrates the high-speed switching characteristics of IGBT (insulated gate bipolar transistor) and the high blocking voltage and low conduction loss characteristics of GTO (gate turn off thyristor). Generally, the trigger signal is transmitted to the IGCT unit through optical fiber. In the phase module of the edge rectifier unit of ACS6000, each phase module is composed of IGCT, diode, and clamp capacitor, and is powered by an independent gate power supply unit GUSP.

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