ABB 5SHY35L4520 非对称IGCT模块 功率半导体器件也称电力电子器件

5SHY35L4520   非对称IGCT模块

功率半导体器件也称电力电子器件，结合不同电路拓扑可以形成各类电力电子装置，实现整流、逆变、变频、调压等功能。随着功率半导体技术的不断革新，从高压输电到城市用电，从工业变频到医疗器械，从电动汽车的电机驱动到空调、冰箱等家用电器，再到手机、笔记本等数码产品，功率半导体器件无处不在，与我们的生活密不可分。其中，集成门极换流晶闸管（Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT）器件作为功率半导体器件家族中的年轻成员于1997年被提出，展现出了巨大的发展潜力，正成为直流电网的“芯”选择

20世纪80年代，以IGBT为代表的高速、全控型器件迅速发展。IGBT结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）驱动功率小、开关速度快以及双极型晶体管（BJT）通态压降低、载流能力大的优点。随着IGBT不断更新换代，其日渐成为现代电力电子技术的主流器件，特别是压接式IGBT的出现，使其向大功率、高效率跨出一大步，已被广泛应用于柔性直流输电（VSC-HVDC）工程当中。与此同时，通过对GTO 技术的改进，新一代可关断晶闸管类器件IGCT于20世纪90年代问世。IGCT改进了GTO芯片，并利用新型低感封装将驱动电路和芯片紧密集成到一体，显示出比传统GTO 更加显著的优点：损耗低、开关速度快、容量密度大、可靠性高等。这些优点保证了IGCT 可以在维持较低成本的基础上，安全、可靠、经济、高效地用于高压大容量功率变换领域，并在一些电力电子装置中具有更为突出的优势。

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