ABB 3BHB018162R0001 IGCT可控硅模块与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接

制造商：ABB

型号：3BHB018162R0001

品名：IGCT可控硅模块

保修：一年

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详细介绍

3BHB018162R0001 IGCT可控硅模块

IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是将GTO芯片与反并联二极管和栅极驱动电路集成在一起，与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L00013BHB018162R0001具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性能，但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动单元, 因而造成可靠性下降，价格较高，也不利于串联。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是，在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频交流器的优选方案。
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