ABB 5SHY3545L0005 可控硅整流元件 四层结构的大功率半导体器件

5SHY3545L0005  可控硅整流元件 

可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被应用于各种电子产品中，如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响等。可控硅完全导通后，流过A、K两极的电流即为通态电流IT（On-State Current），实际应用时，VAK通常是交流电压（如220VAC），因此常将此参数标记为通态平均电流IT（RMS），指可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，而此时流过G、K两极的电流即为门极电流IG（Gate Current），这个门极控制电流不应超过门极大峰值电流IGM（Forward Peak Gate Voltage）当VAK是交流电源的负半周时，可控硅因为A、K两极加反向电压而阻断，此时允许施加的大电压称为反向重复峰值电压VRRM（Peak Repetitive Reverse Blocking Voltage），由于可控硅阻断时的电阻不是无穷大，此时的电流称之为反向重复峰值电流IRRM（Peak Repetitive Reverse Blocking Current）。这两个值与之前介绍的IDRM、VDRM是一样的，只不过IDRM、VDRM是在控制G极断开、可控硅阻断状态下测量的，而IRRM、VRRM是在可控硅A、K极接反向电压下测量的。如果在可控硅阳极A与阴极K间加上反向电压时，开始可控硅处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压VRSM（Peak Non-Repetitive Surge Voltage）。


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