ABB 5SHX06F6004 IGCT模块 MOS控制晶闸管MCT是一种新型的MOS和双极复合器件

制造商：ABB

型号：5SHX06F6004

品名：IGCT模块

保修：一年

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详细介绍

5SHX06F6004 IGCT模块

5SHX06F6004 3BHB003387R0101 MCT (MOS控制L ED晶闸管) : MOS控制晶闸管MCT是一种新型的MOS和双极复合器件。 MCT是将MOSFET高阻抗、低驱动图MCT功率、快速开关速度特性与晶闸管高电压、大电流的特殊组合在一起，形成大功率、电压、快速全控制装置。MCT本质上是一个 MOS栅极-受控晶闸管。它可以通过在栅极上增加一个窄脉冲来打开或关闭，它由无数并联的单电池组成。与GTR、 MOSFET、 IGBT、 GTO等器件相比，具有以下优点: (1) 电压高,电流容量大，阻断电压达到3000V,峰值电流达到1000A,大关断电流密度为6000kA/m2;
5SHX06F6004 3BHB003387R0101导通电压降小，损耗小，导通电压降约11V;
5SHX06F6004 3BHB003387R0101非常高的dv/dt和di/dt耐受性，dv/dtE 达到2kV/s, di/dt为2kA/s;
5SHX06F6004 3BHB003387R0101开关速度快,开关损耗小，开启时间约200ns, 1000V器件2s即可关断;
5SHX06F6004 3BHB003387R0101 IGCT (集成栅极换向晶闸管) IGCT是在换向晶闸管技术的基础上,结合IGBT和GTO技术开发的新型器件。适用于高电压、大容量换向系统。它是一种新型的功率半导体器件，用于巨型电力电子组件。
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