5shy3545L0016 可控硅晶闸管 关断阶段呈现晶体管的特性

IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、量和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和栅极驱动电路集成在-起， 再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、 电压高、开关频率高、可靠性高、 结构紧凑、损耗低等特点，而且造成本低，成品率高,有很好的应用前景。采用晶闸管技术的GTO是常用的大功轩关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBI在截止电压上有更高的性能，旷泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动元，因而造成可靠性下降，价格较高，也不利于串联。但是，在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频交流器的优选方案。IGCT与GTO相似，也是四层三端器件，GCT内部由成千个GCT组成，阳极和]极共用,而阴极并联在一起。与GTO有重要差别的是IGCT阳极内侧多了缓冲层，以透明(可穿透)阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全-样，但关断机理与GTO完全不同,在IGCT的关断过程中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一个pnp晶体管以后再关断,所以它无外加du/dt限制;而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换(即”GTO区" )，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du/dt。阻断状态下IGCT的等效电路可认为是一个基极开路、 低增益pnp晶体管与栅极电源的串联。

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